| 描述 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID | 技术 | GaNFET（氮化镓） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 230pF @ 15V，590pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
