| 描述 | GANFET N-CH 65V 2A DIE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | GaNFET（氮化镓） | 漏源电压（Vdss） | 65 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 530 毫欧 @ 500mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | +6V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21 pF @ 32.5 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |
