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  • ES6U42T2R

ES6U42T2R

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMTFET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)390 毫欧 @ 1A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.1 nC @ 4.5 VVgs(最大值)±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)150 pF @ 10 VFET 功能肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)700mW(Ta)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装6-WEMT
封装/外壳6-SMD,扁平引线

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