描述 | MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT | FET 类型 | P 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 390 毫欧 @ 1A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 2.1 nC @ 4.5 V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 150 pF @ 10 V | FET 功能 | 肖特基二极管(体) |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-WEMT |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |