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  • ESD11N5.0ST5G

ESD11N5.0ST5G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.2025
  • 10000$0.195
  • 25000$0.1875
  • 50000$0.1845
  • 125000$0.18
描述TVS BIDIR 250MW 5V DSN2电压 - 击穿5.8V
功率(瓦特)-电极标记双向
安装类型表面贴装封装/外壳2-XFDFN
供应商设备封装2-DSN(0.60x0.30)包装带卷 (TR)
其它名称ESD11N5.0ST5G-NDESD11N5.0ST5GOSTR

“ESD11N5.0ST5G”电子资讯

  • 安森美推出0201 DSN-2封装的静电放电保护器件

    安森美半导体推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(dual silicon no-lead ,dsn-2)封装的静电放电(esd)保护器件。这dsn型封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能/电路板面积比优势。 安森美半导体采用这新型封装的首批产品是esd11n5.0st5g和esd11b5.0st5g,扩展了公司高性能片外esd保护产品系列。安森美半导体将esd保护产品系列以业界最小的封装面市,实力又进一步。这最新esd产品系列非常适用于保护如手机、mp3播放器、个人数字助理(pda)和数码相机等极之讲究电路板空间的便携应用中的数据线路。 esd11n和esd11b是安森美半导体下一代的专有esd保护技术,提供骄人的钳位电压。安森美半导体结合业界最低的钳位电压及最小的封装,提供无与伦比的esd保护选择。这些产品减少的尺寸及双向单线的设计提供极灵活及简单的布线,适用于种种空间受限的应用。新的0201 dsn-2封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3mm,与常见的sod-9 ...

  • 安森美推出两款采用最新超小型封装静电放电保护器件

    日前,安森美半导体(on semiconductor)推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(dual silicon no-lead ,dsn-2)封装的静电放电(esd)保护器件。这dsn型封装尺寸仅为 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能/电路板面积比优势。 安森美半导体采用这新型封装的首批产品是esd11n5.0st5g和esd11b5.0st5g,扩展了公司高性能片外esd保护产品系列。安森美半导体将esd保护产品系列以业界最小的封装面市,实力又进一步。这最新esd产品系列非常适用于保护如手机、mp3播放器、个人数字助理(pda)和数码相机等极之讲究电路板空间的便携应用中的数据线路。 esd11n和esd11b是安森美半导体下一代的专有esd保护技术,提供骄人的钳位电压。安森美半导体结合业界最低的钳位电压及最小的封装,提供无与伦比的esd保护选择。这些产品减少的尺寸及双向单线的设计提供极灵活及简单的布线,适用于种种空间受限的 应用。新的0201 dsn-2封装尺寸仅为0.6 mm ...

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