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  • ESH1D R3G

ESH1D R3G

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  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
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产品属性
描述DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC技术标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 1 A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)15 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 200 V
不同?Vr、F 时电容16pF @ 4V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳DO-214AC,SMA供应商器件封装DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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