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  • FAM65HR51DS2

FAM65HR51DS2

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述IGBT MODULE 650V 33A 135WIGBT 类型-
配置半桥逆变器电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)33 A功率 - 最大值135 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)-电流 - 集电极截止(最大值)-
不同?Vce 时输入电容 (Cies)4.86 nF @ 400 V输入标准
NTC 热敏电阻工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔封装/外壳-
供应商器件封装-

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