| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3080pF @ 25V | 功率 - 最大 | 208W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FCA20N60_NLFCA20N60_NL-ND |
度为2840~3320kg/mm2.碳化硅包括黑碳化硅和绿碳化硅，其中：黑碳化硅是以石英砂，石油焦和优质硅石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料，添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉。 使用高压superfet和一个sic肖特基二极管组成的ccm pfc测试电路，具体地说，将fairchild公司的600-vn沟道superfet mosfet（fca20n60）和6a sic肖特基二极管组合，与平面型mosfet（fqa24n50）和超高速二极管（rurp860）组合进行比较，比较内容为开关损耗与功效。此测试电路的工作频率100khz,输出电压和电流分别为400v与1a.导通时superfet的栅电阻是12ω，关断时为9.1ω。 分别测量mosfet与二极管的电压和电流来估算元件的功率损耗。并且量测输入与输出功率来计算系统的功效。满负荷下，mosfet信号波形由高电平向低电平跃迁时，输入为110vac,开关损耗通过vds与id的交叉区来测量。su ...
