| 描述 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 22A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 165 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | 功率 - 最大 | 205W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN | 包装 | 管件 |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来supremos新一代600v超级结mosfet系列产品。包括具有165mω最大阻抗的 fcp22n60n、fcpf22n60nt 和 fca22n60n，以及具有199mω最大阻抗的fcp16n60n和fcpf16n60nt。supremos系列器件兼具低rds (on) 和低总栅极电荷，相比飞兆半导体的600v superfet mosfet，品质因数(figure of merit, fom，即 rds (on) × qgd )降低了40%。supremos器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt，可以提高开关电源(smps)中谐振转换器、llc和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性。 相比superfet mosfet器件，supremos600v超级结mosfet在相同rds(on)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，supremos器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的 ...
