您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fcb11n60tm
  • FCB11N60TM

FCB11N60TM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$2.25
  • 1600$2.1
  • 2400$1.995
  • 5600$1.92
  • 20000$1.86
描述MOSFET N-CH 600V 11A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1490pF @ 25V功率 - 最大125W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D?PAK包装带卷 (TR)
其它名称FCB11N60TMTRFCB11N60TM_NLFCB11N60TM_NLTRFCB11N60TM_NLTR-ND

fcb11n60tm的相关型号: