| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16.6nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FCD4N60TFTR |
【Fairchild Semiconductor】FCD4N60TM,MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FCD4N60TM_WS,MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FCD5N60TF,MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FCD5N60TM,MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FCD5N60TM_WS,MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
