描述 | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 385 毫欧 @ 4.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17.8nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 100V |
功率 - 最大 | 92.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FCD9N60NTMTR |
【ON Semiconductor】FCDN605-TKY,缓冲器和线路驱动器 CUSTOM PRODUCT FOR CREE
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