| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 73 毫欧 @ 23.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 417W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247 |
| 包装 | 管件 |
电压；右上方和左下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个负电压。 对于这种应用，在某一时段只有一个开关导通。一个开关可被切换到pwm高频下，另一开关则在50hz低频下。由于自举电路依赖于低端器件的转换，故低端器件被切换到pwm高频下，而高端器件被切换到50hz低频下。 图2：mosfet全桥 这应用采用了600v的功率开关，故600v超结mosfet非常适合这个高速的开关器件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此快速恢复超结器件如600v fch47n60f是十分理想的选择。它的rds(on) 为73毫欧，相比其它同类的快速恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在50hz下进行转换时，无需使用快速恢复特性。这些器件具有出色的dv/dt和di/dt特性，比较标准超结mosfet可提高系统的可靠性。 另一个值得探讨的选择是采用fgh30n60lsd器件。它是一颗饱和电压vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其关断损耗 eoff非常高，达10mj ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的mosfet在工作温度下导通阻抗rds(on) ...
