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  • FCMT360N65S3

FCMT360N65S3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:3,000 : ¥15.55640卷带(TR)
  • 系列:SuperFET? III
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:不适用于新设计
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFNFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)360 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 200μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)730 pF @ 400 VFET 功能-
功率耗散(最大值)83W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装4-PQFN(8x8)
封装/外壳4-PowerTSFN

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