| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1490pF @ 25V | 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FCP11N60_NLFCP11N60_NL-ND |
足导通di/dt 的需求，可能需要进行电路内部测试与验证，然后根据mosfet转换曲线可以确定大概的值 （见图3）。 图3 mosfet的转移特性 假定在导通时，fet电流上升到10a，根据图3中25℃的那条曲线，为了达到10a的值，栅极电压必须从5.2v转换到6.7v，平均gfs为10a/（6.7v-5.2v）=6.7mω。 公式1 获得所需导通di/dt的栅极驱动阻抗 把平均gfs值运用到公式1中，得到栅极驱动电压vdrive=10v，所需的 di/dt=600a/μs，fcp11n60典型值vgs（avg）=6v，ciss=1200pf；于是可以计算出导通栅极驱动阻抗为37ω。由于在图3的曲线中瞬态gfs值是一条斜线，会在eon期间出现变化，意味着di/dt也会变化。 同样的，igbt也可以进行类似的栅极驱动导通阻抗计算，vge（avg） 和 gfs可以通过igbt的转换特性曲线来确定，并应用vge（avg）下的cies值代替ciss。计算所得的igbt导通栅极驱动阻抗为100ω，该值比前面的37ω高，表明igbt gfs较高，而cies较低。 传导损耗需谨慎 在 ...
