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  • FCP650N80Z

FCP650N80Z

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:SuperFET? II
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 800V 10A TO220FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)650 毫欧 @ 4A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 800μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1565 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)162W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220
封装/外壳TO-220-3

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