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FD1200R17KE3-K_B2

  • 制造商:-
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Single Dual Collector Dual Emitter
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
  • 在25 C的连续集电极电流:1700 A

参考价格

  • 数量单价
  • 2¥11,506.99
产品属性
描述IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体IHM130栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C安装风格SMD/SMT
工厂包装数量2

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