| 描述 | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 265 毫欧 @ 9.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 239W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3P |
| 包装 | 管件 |
系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii / hyperfast ii + unifet 的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm 和 dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on) (0.265 ohm @ vgs = 10v) 和很高的承受uis (非钳位感应开关) 的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。(参见下表中全部的unifet产品组合。 ...
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术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii/hyperfast ii+unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm @ vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高效 ...
perfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii/hyperfast ii+unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm @ vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高效、可靠的主 ...
