您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fdb060an08a0
  • FDB060AN08A0

FDB060AN08A0

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$2.2047
  • 1600$2.05772
  • 2400$1.95483
  • 5600$1.88134
  • 20000$1.82255
描述MOSFET N-CH 75V 80A TO-263ABFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5150pF @ 25V功率 - 最大255W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)包装带卷 (TR)
其它名称FDB060AN08A0-NDFDB060AN08A0TR

fdb060an08a0的相关型号: