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FDB2572_Q

描述MOSFET N-Channel UltraFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.045 Ohms at 10 V
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263
封装Reel下降时间14 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散135 W
上升时间14 ns典型关闭延迟时间31 ns

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