| 描述 | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.009 Ohms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 19 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 85 S | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 60 W | 上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDB7030BLS,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7030L_L86Z,MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB7030L_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7042L,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7045L,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDB7045L_Q,MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
