| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 毫欧 @ 80A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 185nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9310pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 188W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDB8443TR |
【Fairchild Semiconductor】FDB8443_F085,MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench
【Fairchild Semiconductor】FDB8444,MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】FDB8444_F085,MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】FDB8444TS,MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5
【Fairchild Semiconductor】FDB8445_F085,MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK