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  • FDB8870

FDB8870

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$0.86268
  • 1600$0.7917
  • 2400$0.7371
  • 5600$0.7098
  • 20000$0.6825
描述MOSFET N-CH 30V 160A TO-263ABFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.9 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs132nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5200pF @ 15V功率 - 最大160W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263AB包装带卷 (TR)
其它名称FDB8870-NDFDB8870FSTR

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