描述 | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 183 毫欧 @ 2.1A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 880pF @ 40V |
功率 - 最大 | 700mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDC3535TR |
【Fairchild Semiconductor】FDC3601N,MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3612,MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3612_F095,MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC3616N,MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC3616N_Q,MOSFET 100V NCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDC365P,MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
【SMSC】FDC37B727QFP,输入/输出控制器接口集成电路 Enhanced Super I/O Controller