| 描述 | FET 60V 50.0 MOHM SSOT6 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47 毫欧 @ 4.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 763 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-23-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
【Fairchild Semiconductor】FDC5661N_F085,MOSFET Trans N-Ch 60V 4.3A
【Fairchild Semiconductor】FDC6000NZ,MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 6SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6000NZ_F077,MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP
【Fairchild Semiconductor】FDC6020C,MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC6020C_F077,MOSFET N P-CH 20V 6-SSOP