| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1699pF @ 6V | 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDC606P-NDFDC606PTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC608PZ,MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC610PZ,MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6301N,IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
【Fairchild Semiconductor】FDC6302P,MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6
【Fairchild Semiconductor】FDC6303N,IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
