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  • FDC6322C

FDC6322C

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220mA,460mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 400mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V
功率 - 最大700mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6供应商设备封装6-SSOT
包装带卷 (TR)

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