您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > fdc6327c
  • FDC6327C

FDC6327C

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.16244
  • 6000$0.15196
  • 15000$0.14148
  • 30000$0.13414
  • 75000$0.131
描述MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A,1.9A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds325pF @ 10V功率 - 最大700mW
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装6-SSOT包装带卷 (TR)
其它名称FDC6327C-NDFDC6327CTR

fdc6327c的相关型号: