| 描述 | MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE | 漏极连续电流 | 5 A |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SuperSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 12 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1600 mW |
| 上升时间 | 12 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC654P,MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC655AN,MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC655AN_F095,MOSFET 30V 6.3A N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC655BN,MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC655BN_F123,MOSFET 30V N-CHAN 0.025Ohms
【Fairchild Semiconductor】FDC6561AN,MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6