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  • FDC658AP

FDC658AP

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.13002
  • 6000$0.12214
  • 15000$0.11426
  • 30000$0.1048
  • 75000$0.10086
描述MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs8.1nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds470pF @ 15V
功率 - 最大800mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6供应商设备封装6-SOT
包装带卷 (TR)其它名称FDC658APTR

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