| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 6.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 655pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDC855NTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC8601,MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC8602,MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC86244,MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC8884,MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC8886,MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
