描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10.5 毫欧 @ 50A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1840pF @ 25V | 功率 - 最大 | 135W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252AA | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDD10AN06A0-NDFDD10AN06A0TR |