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  • FDD13AN06A0

FDD13AN06A0

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.5586
  • 5000$0.53067
  • 12500$0.51072
  • 25000$0.49476
  • 62500$0.4788
描述MOSFET N-CH 60V 50A D-PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V功率 - 最大115W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252AA包装带卷 (TR)
其它名称FDD13AN06A0-NDFDD13AN06A0TR

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