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  • FDD24AN06LA0_F085

FDD24AN06LA0_F085

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 40A TO-252FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V功率 - 最大75W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252包装带卷 (TR)
其它名称FDD24AN06LA0_F085TR

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