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  • FDD3680

FDD3680

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.69106
描述MOSFET N-CH 100V 25A D-PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 6.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs53nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1735pF @ 50V功率 - 最大1.6W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252包装带卷 (TR)

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