| 描述 | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2775pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 2.4W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD4141-NDFDD4141TR |
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 沟道 powertrench mosfet 产品 fdd4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。fdd4141 具有低导通阻抗 (rds(on))，与目前的 mosfet 比较能降低栅极电荷(qg) 达 50%，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 khz 应用的必备条件。尽管其它 mosfet 解决方案亦可在较高频率下进行切换，惟这些解决方案的栅极电荷较高，造成发热更多、效率降低。 fdd4141采用飞兆半导体专有的 powertrench 工艺技术制造，可将负载电流更高的晶圆封装在尺寸更小的封装中。powertrench 技术将 n 沟道 mosfet 的特性运用在 p 沟道 mosfet 中，使到 p 沟道 mosfet 具备 n 沟道 mosfet 的性能，并表现出更低的 rds (on) 和更低的栅极电荷，继而更高的效率，同时还能够在数百 k ...
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