您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fdd45an06la0_f085
  • FDD45AN06LA0_F085

FDD45AN06LA0_F085

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 25A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds880pF @ 25V
功率 - 最大55W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

fdd45an06la0_f085的相关型号: