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  • FDD5614P

FDD5614P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.3675
  • 5000$0.34913
  • 12500$0.336
  • 25000$0.3255
  • 62500$0.315
描述MOSFET P-CH 60V 15A DPAKFET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds759pF @ 30V功率 - 最大1.6W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252包装带卷 (TR)
其它名称FDD5614PTR

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