描述 | MOSFET N-CH 30V 76A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 76A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 13.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1580pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD6670AS-NDFDD6670ASTR |