| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 800 毫欧 @ 2.3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 40W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDD6N20TM-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDD6N25TF,MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N25TM,MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N50FTF,MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N50FTM,MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N50TM_F085,MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FDD6N50TM_WS,MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
