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  • FDD8424H_F085

FDD8424H_F085

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A,6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 20V
功率 - 最大1.3W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD供应商设备封装4-DPAK
包装带卷 (TR)其它名称FDD8424H_F085TR

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