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  • FDD8870

FDD8870

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.5439
  • 5000$0.51671
  • 12500$0.49728
  • 25000$0.48174
  • 62500$0.4662
描述MOSFET N-CH 30V 160A D-PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.9 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs118nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5160pF @ 15V功率 - 最大160W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)
其它名称FDD8870-NDFDD8870FSTR

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