| 描述 | MOSFET -20V Integrated P-Channel | 漏极连续电流 | 2.9 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 112 mOhms at 4.5 V | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SC-75 MicroFET | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 4 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1400 mW | 上升时间 | 4 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 | 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： ·节省空间，因为这些mi ...
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench 技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： -节省空间，因为这些micr ...
飞兆半导体推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： 节省空间，因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功 ...
据日经bp社报道，美国飞兆半导体（fairchild semiconductor）推出了封装尺寸仅为2.0mm×1.6mm的功率开关“fdmj1023pz”以及“fdfmj2p023z”。适用于手机、数码相机及便携式游戏机之类小型设备的充电电路以及dc-dc转换器等。 新产品采用相当于sc-75的封装，外形尺寸为2.0mm×1.6mm。比3mm×3mm的ssot-6封装小了65％，比sc-70封装小了20％。当栅极驱动电压为1.5v。源-漏极间电压为-2.5v时，导通电阻为160mω，比以前产品降低了约75％。热阻抗为89℃/w，比以前产品降低了66％。 价格方面，批量购买1000件时，fdmj1023pz为0.51美元，fdfmj2p023z为0.48美元。 ...
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm×1.6mm sc-75，较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p0 ...
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飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术，封装为2.0mm x 1.6mm sc-75，较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： - 节省空间 ...
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z，适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术，封装为2.0mm×1.6mm sc-75，较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdf ...
