描述 | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 二极管(隔离式) | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 714pF @ 30V | 功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | FDFS2P106ATRFDFS2P106A_NLFDFS2P106A_NLTRFDFS2P106A_NLTR-ND |
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P106A_Q,MOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated
【Fairchild Semiconductor】FDFS2P753AZ,MOSFET P-CH 30V 3A SO-8
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【Fairchild Semiconductor】FDFS6N303,MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDFS6N548,MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDFS6N754,MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC