| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 165pF @ 10V | 功率 - 最大 | 480mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDG316P-NDFDG316PTR |
【Fairchild Semiconductor】FDG326P,MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG327N,MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG327N_Q,MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDG327NZ,MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
【Fairchild Semiconductor】FDG327NZ_Q,MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDG328P,MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6