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  • FDG6322C

FDG6322C

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.14157
  • 6000$0.13299
  • 15000$0.12441
  • 30000$0.11411
  • 75000$0.10982
描述IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220mA,410mA开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V功率 - 最大300mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6包装带卷 (TR)
其它名称FDG6322CTR

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