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FDG6335N_Q

描述MOSFET FDG6335N漏极连续电流0.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.3 Ohms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SC-70-6封装Reel
下降时间7 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.8 S
最小工作温度- 55 C功率耗散0.3 W
上升时间7 ns典型关闭延迟时间9 ns

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