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FDH40N50F

描述MOSFET High Voltage General Purpose漏极连续电流42 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.13 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-247封装Tube
下降时间65 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散625 W上升时间123 ns
工厂包装数量150典型关闭延迟时间32 ns

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