| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.5 毫欧 @ 100A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 74nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 263W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3（直引线） | 供应商设备封装 | TO-262-3 |
| 包装 | 管件 |
