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FDJ1032C

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N/P-CH 20V FLMP SC-75FET 型N 和 P 沟道
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A,2.8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 10V功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC75-6 FLMP
供应商设备封装SC-75包装带卷 (TR)

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