| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 3.6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 885pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 700mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDMA6023PZTTR |
fairchild semiconductor(飞兆半导体公司) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低rds(on) 的20v 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型microfet mosfet器件。fdma6023pzt是采用紧凑、薄型封装的双p沟道mosfet，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。fdma6023pzt采用超薄的微型引线框架的microfet 封装，相比传统的mosfet，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采用飞兆半导体性能先进的powertrench mosfet工艺技术，获得极低的rds(on) 值、栅级电荷 (qg) 和米勒电荷 (qgd) — 这些都显箸减少传导损耗和提升开关性能。 fdma6023pzt 是飞兆半导体全面的 microfet mosfet 产品系列的一员，在应对当今功能丰富之便携应用的功率设计挑战方面起着关键的作用，该产品系列包括20v p沟道 powertrench mosfet 器件fdma1027pt，以及带有肖特基二极管的20v p沟道powertrench mosfet ...
